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Ausschreibungen Nationale Förderung

Förderung von innovativen Projekten im Rahmen des wichtigen Vorhabens von gemeinsamem europäischem Interesse für neuartige Halbleitertechnologien (IPCEI AST--?Important Projects of Common European Interest Advanced Semiconductor Technologies?, deutsch: „Wichtige Vorhaben von gemeinsamem europäischem Interesse“ für neuartige Halbleitertechnologien)

Ziel der Förderung ist es, neuartige Forschungs- und Entwicklungsergebnisse in Halbleitertechnologien in Europa gezielt in die 1. gewerbliche Nutzung zu überführen, um Wertschöpfungsketten und die Resilienz der europäischen Industrie nachhaltig zu stärken.

Status: Förderprogramm aktiv, Antragstellung nicht mehr möglich

Fördergeber: Bund

Förderart: Zuschuss

Förderberechtigte: Unternehmen

Unternehmensgröße: große Unternehmen, kleine, Kleinstunternehmen, mittlere

Förderbereich: Forschung & Innovation (themenspezifisch)

Fördergebiet: Bundesweit

Ziel der Förderung ist es, neuartige Forschungs- und Entwicklungsergebnisse in Halbleitertechnologien in Europa gezielt in die 1. gewerbliche Nutzung zu überführen, um Wertschöpfungsketten und die Resilienz der europäischen Industrie nachhaltig zu stärken.

Kurzzusammenfassung

Förderfähig sind innovative Forschungs-, Entwicklungs- und Investitionsprojekte als Einzelprojekte (FuEuI-Projekte) bis zur 1. gewerblichen Nutzung, deren Durchführung ohne Förderung nicht wirtschaftlich umsetzbar wäre. Forschungs- und Entwicklungsergebnisse sind in die 1. gewerbliche Nutzung (bis TRL 8) zu überführen. Informationen zu den besonderen Anforderungen von IPCEI AST--?Important Projects of Common European Interest Advanced Semiconductor Technologies?, deutsch: „Wichtige Vorhaben von gemeinsamem europäischem Interesse“ für neuartige Halbleitertechnologien-Förderverfahren finden Sie unter den häufig gestellten Fragen (siehe weiterführende Links).

Die Projekte müssen sich mindestens einem der folgenden Bereiche zuordnen lassen und den weltweiten Stand der Technik übertreffen:

  • KI-Chips und Beschleuniger,
  • Chiplets und Heterointegration,
  • Photonische integrierte Schaltungen,
  • Disruptive Sensoren für die Automatisierung,
  • Leistungselektronik mit disruptiven Energiesparlösungen,
  • Sichere Kommunikation sowie
  • Schlüsseltechnologien der Mikroelektronik-Wertschöpfungskette, die Technologieentwicklungen in den zuvor genannten Bereichen ermöglichen, zum Beispiel Rohwafer, Chipdesign, Advanced Packaging, Fertigungsanlagen und Metrologie.

Antragsberechtigte und Voraussetzungen

Ein Rechtsanspruch auf Gewährung einer Zuwendung besteht nicht.

Ausgewählte Projekte werden auf Grundlage der §§ 23 und 44 der Bundeshaushaltsordnung (BHO) und den dazu erlassenen Verwaltungsvorschriften (VV) und vorbehaltlich der Einhaltung der beihilferechtlichen Vorschriften und der beihilferechtlichen Genehmigung bewilligt.

Es gelten die „Allgemeinen Nebenbestimmungen für Zuwendungen zur Projektförderung auf Kostenbasis (ANBest-P-Kosten)“ in aktueller Fassung zum Bewilligungszeitpunkt.

Für die geplante Förderung ist ein Notifizierungsverfahren bei der Europäischen Kommission gemäß Art. 107 Abs. 3 Buchstabe b des Vertrags über die Arbeitsweise der Europäischen Union (AEUV) erforderlich. Die beihilferechtliche Prüfung durch die Europäische Kommission erfolgt nach Maßgabe der IPCEI--Important Projects of Common European Interest, deutsch: Wichtige Vorhaben von gemeinsamem europäischem Interesse-Mitteilung der Europäischen Kommission (Mitteilung 2021/C 528/02 der Kommission über die Kriterien für die Würdigung der Vereinbarkeit von staatlichen Beihilfen zur Förderung wichtiger Vorhaben von gemeinsamen europäischen Interesse mit dem Binnenmarkt, ABl. C 528 vom 30.12.2021 S. 10).

Projekten, deren Förderhöhe unter die Anmeldeschwelle nach der AGVO für Beihilfen für Forschungs- und Entwicklungsvorhaben fällt, kann eine Beihilfe auf Grundlage von Artikel 25 Absatz 2 Buchstabe b und/oder 2 Buchstabe c der AGVO gewährt werden.

Antragstellung

In Verfahrensstufe 1 mussten Sie Ihre Projektskizze bis spätestens zum 15.01.2026 einreichen.

Das Antragsverfahren ist mehrstufig angelegt.

Stufe 1: Nationales Interessenbekundungsverfahren und Einreichung von Projektskizzen sowie Auswahl von nationalen Projekten für Stufe 2.

Stufe 2: Teilnahme an einem EU-weiten Matchmaking und Überführung der Projektskizze in eine detaillierte Projektbeschreibung mit der Darstellung des integrierten Charakters des Projekts im europäischen IPCEI AST--?Important Projects of Common European Interest Advanced Semiconductor Technologies?, deutsch: „Wichtige Vorhaben von gemeinsamem europäischem Interesse“ für neuartige Halbleitertechnologien.

Stufe 3: Durchführung des europäischen Beihilfeverfahrens (Notifizierung der Beihilfe) im Rahmen der Notifizierung des IPCEI AST--?Important Projects of Common European Interest Advanced Semiconductor Technologies?, deutsch: „Wichtige Vorhaben von gemeinsamem europäischem Interesse“ für neuartige Halbleitertechnologien beziehungsweise die Anzeige der Förderung nach AGVO und die Antragstellung auf nationaler Ebene.

Erforderliche Unterlagen

In Verfahrensstufe 1 ist eine maximal 20-seitige englische Projektskizze und eine maximal 4-seitige deutsche Kurzbeschreibung einzureichen.

Weitere Informationen

Vollständige Informationen und Richtlinie in der Förderdatenbank


Quelle: Förderdatenbank des Bundes — Rechteinhaber: Bundesministerium für Wirtschaft und Energie, Texte lizenziert unter CC BY-ND 4.0. Auszug in unverändertem Wortlaut; Kategorien und Einordnung durch FundScout.EU. Alle Angaben ohne Gewähr — maßgeblich ist die verlinkte Originalseite.

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